MIT e Unesp criam material eficaz na detecção de gás poluente

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Em uma parceria, Unesp e MIT criam novo material para detectar dióxido de nitrogênio, um gás extremamente tóxico

Um novo material foi criado por pesquisadores do Instituto de Química da Universidade Estadual Paulista (Unesp), campus de Araraquara, em parceria com colegas do Departamento de Ciência e Engenharia de Materiais do Massachusetts Institute of Technology (MIT), dos Estados Unidos. Feito à base de óxido de estanho (SnO), o material, que possui o curioso formato de um confete de papel, é capaz de detectar com muito mais eficácia o gás dióxido de nitrogênio (NO2), que é altamente tóxico e formado nas reações de combustão dos motores dos veículos.

O processo utilizado para sintetizar os discos cristalinos de estanho em escala micrométrica (milionésima parte do metro) é chamado de redução carbotérmica. De acordo com os pesquisadores, esta é a primeira vez que o óxido de estanho é sintetizado com suas propriedades térmicas e químicas estabilizadas e com sua resposta sensora aumentada.

Exposto em uma câmara a diferentes tipos de gases tóxicos, em temperaturas entre 100ºC e 350ºC, o material apresentou boa seletividade e sensibilidade ao dióxido de nitrogênio a 200ºC, bem abaixo da temperatura de decomposição do material, que é 400ºC. Nessa temperatura, a resistência elétrica do sensor aumentou mil vezes quando o material foi exposto a 100 partes por milhão (ppm) de dióxido de nitrogênio em um ambiente que simula a atmosfera.

Quando retirado do ambiente de testes, o material retornou rapidamente às propriedades anteriores - o que é muito bom, pois a seletividade de reação é ótima para um detector e de nada adiantaria se ele reagisse a diversos tipos de gases.

Uma das razões pelas quais os discos de óxido de estanho apresentam alta sensibilidade e seletividade ao dióxido de nitrogênio é que são semicondutores do tipo N, o que faz o gás ter predisposição a trocar elétrons com o material.

Em 2014, o material será patenteado de forma definitiva nos EUA. Em seguida, a Agência Unesp de Inovação (Auin) irá requerer a patente no Instituto Nacional de Propriedade Intelectual (INI), no Brasil.

Fonte: FAPESP

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